报告人简介：中国科学院半导体所研究员，博士生导师。 2005年于英国诺丁汉大学天文yl6809永利(中国)有限公司获得博士学位，主要研究铁磁半导体和氮化物外延材料及相关器件的结构和光电性能；随后到英国剑桥大学材料冶金学院GaN研究中心工作,主要从事GaN基LED器件失效和可靠性方面的研究；2007年至2009年初在英国FORGE-EUROPA公司工作，进行LED光电产品的质量检验及工程技术开发。2009年5月加入中国科学院半导体照明研发中心，同年入选中国科学院第一届“引进杰出技术人才”计划。 主要致力于半导体材料及器件结构、光、电、热及可靠性等物理性能方面的研究，先后主持承担了科学院、科技部及国家自然科学基金委多项重大科研项目。迄今为止共发表科技论文60多篇，累计被引用1900多次,申请专利20余项，制定国家标准5项。目前是北京照明学会第八届计量测试专业委员会副主任；全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分技术委员会委员。 研究兴趣包括：新型III氮化物半导体材料与器件物理以及氮化物器件的失效机理及可靠性研究。 联系方式： E-mail：lxzhao@semi.ac.cn。
报告简介： 目前商业化的白光主要基于蓝光以及蓝光与黄色荧光分的混合得出来的，而在蓝光波段外以及超越照明方面还有很多问题亟待解决。本报告将系统介绍在氮化物LED发光器件中引入纳米结构在提高量子效率及调频特性方面的研究工作，特别是基于各种不同微纳结构，实现等离激元与LED电子空穴对的近距离耦合，制备了等离激元氮化物LED发光器件。测试分析表明，不同微纳结构的等离激元可显著降低器件的辐射复合寿命，提高发光增益，另外，由于量子阱和等离激元的有效耦合，3dB带宽也得到了显著提高。这些对进一步研制高效高频可见光通信照明通用光电器件具有指导意义。
报告人简介：韩秀峰，中科院物理所研究员，973项目首席科学家，国家杰出青年基金获得者，新世纪百千万人才工程国家级人选。1984年毕业于兰州大学物理系获理学学士学位；1990和1993年先后在吉林大学获理学硕士和博士学位。1994-1996在中科院物理所做博士后工作，从事新型 3:29 稀土永磁材料的研究；1997年任中科院半导体所副研究员，从事磁性半导体和硅外延薄膜材料的研究。1998年1月至2002年3月，分别赴巴西物理研究中心、日本东北大学应用物理系、美国新奥尔良大学高级材料研究所和爱尔兰圣三一学院物理系，从事磁性薄膜材料、磁性隧道结和磁电子学的研究。2000年获中科院“百人计划”资助；2002年起担任中科院物理所磁学国家重点实验室M02课题组组长、研究员、博士生导师。2003年在磁性金属材料研究方面获国家杰出青年基金资助；2007年在新型自旋电子学材料和物理研究方面获国家基金委创新群体项目资助；2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”。2006-2010年在科技部“973和国家重大科学研究计划”纳米研究专项中作为项目负责人和首席科学家承担《基于自旋和量子效应的纳米磁和半导体存储器及逻辑器件的研究》，担任国际学术刊物 PRL、PRB、APL、JAP、JCM、JMMM、IEEE Tran. Magn.等40余种杂志邀请审稿人,担任JMMM和SPIN等国际学术刊物编委。已在 Phys. Rev. Lett.等国际重要学术刊物上发表论文 200 余篇，获中国发明专利和国际专利授权50余项，在相关国际学术会议上做邀请报告50余次。
报告简介：双势垒磁性隧道结可利用在两个平行绝缘层之间的超薄磁性金属层形成二维量子阱(QW)，并通过调节金属层厚度和磁矩方向来控制量子阱共振隧穿，是研究自旋相关的量子阱态、量子阱分立能级、量子阱共振隧穿磁电阻(QW-TMR)等自旋量子效应及自旋量子调控的标准结构，也是研发各种基于量子阱共振隧穿磁电阻效应的新型自旋电子学材料及量子阱共振隧穿二极管和自旋晶体管等重要单元器件的物理基础。
该项工作首先在2006年利用第一性原理计算方法研究和预测了Fe(001)/MgO/Fe/ MgO/Fe双势垒磁性隧道结(DBMTJ)中存在的量子阱态和量子阱共振隧穿磁电阻效应[1]。通过态密度计算发现：由于两边MgO势垒的束缚作用，中间Fe层自旋多子的Δ1能带会形成分立的量子阱能级。详细第一性原理计算给出了量子阱能级E随中间自由铁层厚度d的变化关系，对所有量子阱能级与相累积模型都吻合很好，表明量子阱层的近自由电子特性。但由于制备高质量双势垒磁性隧道结具有工艺上的复杂性和挑战性，实验方面一直没有达到预期的效果。为了保证电子在量子阱中的相位相干性、减小界面粗糙度及非弹性散射引起的电子在隧穿过程中的退相干效应、并能在较宽的量子阱中实现共振隧穿效应，设计和优化新的双势垒磁性隧道结材料与结构是非常必要的。
我们最近的理论计算和实验研究发现：简式为AB2O4型的尖晶石氧化物(如：MgAl2O4、ZnAl2O4、SiMg2O4、SiZn2O4等)，其能带结构具有Δ1自旋过滤效应，并且与常用磁性隧道结电极材料的铁磁金属Fe、Co、FeCo 合金及半金属Heusler合金Co2MnSi、Co2FeAl 等更加匹配，其晶格失配度相比MgO(001)单晶势垒会更小(