4月19日上午10:00，挪威工程院院士、挪威科技大学教授Helge Weman博士莅临物理与电子学院讲学，院长何军教授主持了报告会，一百余名师生共同聆听了讲座。

讲座题目为“Epitaxial growth of heterostructuredIII-V semiconductor nanowires on graphene”，即“石墨烯上外延生长III-V半导体纳米线异质结构”。 近年来，III-V族纳米线在纳米电子和纳米光子器件领域的应用潜力被逐步发掘，纳米线异质结构尤其备受世人关注。首先，Helge Weman教授介绍了挪威科技大学和他自己的实验室，包括他建立的CrayoNano AS公司的情况。接着，Weman教授介绍了自己近期在石墨烯上外延生长GaAs、GaN纳米线，并且开发基于AlGaN/graphene复合结构的高效率紫外LED的工作。Weman教授提出了通用的原子模型，可以用来描述在石墨烯上外延生长所有的传统半导体材料。利用透射电子显微镜对石墨烯上外延生长的GaAs、GaN纳米线横截面进行观测与研究，成功地验证了该原子模型。最后，Weman教授与在场师生进行了亲切的交流互动，并耐心地回答了大家提出的问题，现场气氛活跃。

Weman教授一行参观了超微结构与超快过程湖南省重点实验室，并且与学院部分教师进行了座谈，双方探讨了如何进一步加强学术交流与科研合作。湖南省科技厅和学校科研部领导会见了Weman教授一行。